Nexperia USA Inc. - PMDXB600UNEZ

KEY Part #: K6525021

PMDXB600UNEZ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [451031पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.08242
  • 5,000 pcs$0.08201

भाग संख्या:
PMDXB600UNEZ
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMDXB600UNEZ उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PMDXB600UNEZ
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 600mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 950mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 21.3pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 265mW
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 6-XFDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DFN1010B-6

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