EPC - EPC2019

KEY Part #: K6417174

परिवार कोटिहरू:: KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...

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भाग संख्या : EPC2019

निर्माता : EPC

वर्णन : GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE

श्रृंखला : eGaN®

भाग स्थिति : Active

FET प्रकार : N-Channel

टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)

स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 200V

हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस : 8.5A (Ta)

ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V

Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 50 mOhm @ 7A, 5V

Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 1.5mA

गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 2.5nC @ 5V

Vgs (अधिकतम) : +6V, -4V

इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 270pF @ 100V

FET फिचर : -

पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -

अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount

आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Die

प्याकेज / केस : Die

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