भाग संख्या :
SIHP11N80E-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
12A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
88nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1670pF @ 100V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
179W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB