STMicroelectronics - STW25N60M2-EP

KEY Part #: K6396785

STW25N60M2-EP मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [37938पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.03581
  • 600 pcs$1.03066

भाग संख्या:
STW25N60M2-EP
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW25N60M2-EP उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : STW25N60M2-EP
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
श्रृंखला : MDmesh™ M2-EP
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 18A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 188 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4.75V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1090pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 150W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-247
प्याकेज / केस : TO-247-3

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