Texas Instruments - CSD86330Q3D

KEY Part #: K6524914

CSD86330Q3D मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [107742पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.37296
  • 2,500 pcs$0.37111

भाग संख्या:
CSD86330Q3D
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD86330Q3D उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD86330Q3D
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 20A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 920pF @ 12.5V
पावर - अधिकतम : 6W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-PowerLDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-LSON (3.3x3.3)

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