FDD3510H मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [180396पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.20504
- 2,500 pcs$0.19612
- भाग संख्या:
- FDD3510H
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor FDD3510H electronic components. FDD3510H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD3510H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD3510H उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
FDD3510H
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
श्रृंखला :
PowerTrench®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N and P-Channel, Common Drain
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.3A, 2.8A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
18nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
800pF @ 40V
पावर - अधिकतम :
1.3W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-252-4L
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- SI1539DDL-T1-GE3
- NVMFD5489NLWFT3G
- AO4840L
- NTMD2C02R2SG
- NTMFD4C85NT1G
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- AO4812_101
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- PMDPB28UN,115
- JAN2N7335
- APTC90AM602G
- AUIRF7309Q
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- SIL2623-TP