ON Semiconductor - FDD3510H

KEY Part #: K6521881

FDD3510H मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [180396पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.20504
  • 2,500 pcs$0.19612

भाग संख्या:
FDD3510H
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in ON Semiconductor FDD3510H electronic components. FDD3510H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD3510H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD3510H उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FDD3510H
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
श्रृंखला : PowerTrench®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N and P-Channel, Common Drain
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4.3A, 2.8A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 18nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 800pF @ 40V
पावर - अधिकतम : 1.3W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-252-4L

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