भाग संख्या :
NTHS4111PT1G
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
45 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
28nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1500pF @ 24V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
700mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ChipFET™
प्याकेज / केस :
8-SMD, Flat Lead