Nexperia USA Inc. - PMPB10XNEZ

KEY Part #: K6416171

PMPB10XNEZ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [440888पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.08389
  • 3,000 pcs$0.07721

भाग संख्या:
PMPB10XNEZ
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 20V SOT1220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMPB10XNEZ उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PMPB10XNEZ
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 20V SOT1220
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 9A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 900mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 34nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2175pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DFN2020MD-6
प्याकेज / केस : 6-UDFN Exposed Pad

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