R6030KNZ1C9 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [26270पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.72314
- 10 pcs$1.53937
- 100 pcs$1.26212
- 500 pcs$0.96958
- 1,000 pcs$0.81772
- भाग संख्या:
- R6030KNZ1C9
- निर्माता:
- Rohm Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Rohm Semiconductor R6030KNZ1C9 electronic components. R6030KNZ1C9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R6030KNZ1C9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
R6030KNZ1C9 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
R6030KNZ1C9
निर्माता :
Rohm Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
30A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2350pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
305W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-247
प्याकेज / केस :
TO-247-3
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