EPC - EPC2012

KEY Part #: K6406610

परिवार कोटिहरू:: KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...

प्रतिस्पर्धी लाभ:: We specialize in EPC EPC2012 electronic components. EPC2012 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2012, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

भाग संख्या : EPC2012

निर्माता : EPC

वर्णन : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

श्रृंखला : eGaN®

भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key

FET प्रकार : N-Channel

टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)

स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 200V

हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस : 3A (Ta)

ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V

Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 1mA

गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (अधिकतम) : +6V, -5V

इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 145pF @ 100V

FET फिचर : -

पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -

अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 125°C (TJ)

माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount

आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Die

प्याकेज / केस : Die

तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ