Toshiba Semiconductor and Storage - TPCA8028-H(TE12LQM

KEY Part #: K6405172

TPCA8028-H(TE12LQM मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [86753पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.48047
  • 3,000 pcs$0.47808

भाग संख्या:
TPCA8028-H(TE12LQM
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 50A SOP-8 ADV.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPCA8028-H(TE12LQM उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TPCA8028-H(TE12LQM
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 50A SOP-8 ADV
श्रृंखला : U-MOSIV-H
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 50A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.3V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 7800pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.6W (Ta), 45W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SOP Advance (5x5)
प्याकेज / केस : 8-PowerVDFN

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