भाग संख्या :
TSM4NB65CH C5G
निर्माता :
Taiwan Semiconductor Corporation
वर्णन :
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
भाग स्थिति :
Not For New Designs
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.37 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
13.46nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
549pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
70W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-251 (IPAK)
प्याकेज / केस :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA