निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
12A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
6.4 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 50µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
28nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3620pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.56W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-DSO-8
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)