Diodes Incorporated - DMN2011UFX-7

KEY Part #: K6524940

DMN2011UFX-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [249522पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.14823
  • 3,000 pcs$0.13172

भाग संख्या:
DMN2011UFX-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2011UFX-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN2011UFX-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 12.2A (Ta)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 56nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2248pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 2.1W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 4-VFDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : V-DFN2050-4

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