EPC - EPC2010

KEY Part #: K6406609

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भाग संख्या : EPC2010

निर्माता : EPC

वर्णन : GANFET TRANS 200V 12A BUMPED DIE

श्रृंखला : eGaN®

भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key

FET प्रकार : N-Channel

टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)

स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 200V

हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस : 12A (Ta)

ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V

Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 3mA

गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 7.5nC @ 5V

Vgs (अधिकतम) : +6V, -4V

इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 540pF @ 100V

FET फिचर : -

पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -

अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 125°C (TJ)

माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount

आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Die

प्याकेज / केस : Die

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