भाग संख्या :
RV2C014BCT2CL
निर्माता :
Rohm Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
700mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
300 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
100pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
400mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DFN1006-3