Infineon Technologies - IRLML2060TRPBF

KEY Part #: K6417158

IRLML2060TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [785497पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04709
  • 3,000 pcs$0.04511

भाग संख्या:
IRLML2060TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLML2060TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRLML2060TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1.2A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 480 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 25µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 0.67nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 64pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.25W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Micro3™/SOT-23
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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