SI5515DC-T1-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3841पीसी स्टक]
- 3,000 pcs$0.18881
- भाग संख्या:
- SI5515DC-T1-E3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5515DC-T1-E3 electronic components. SI5515DC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5515DC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5515DC-T1-E3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI5515DC-T1-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N and P-Channel
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.4A, 3A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
7.5nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
-
पावर - अधिकतम :
1.1W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SMD, Flat Lead
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
1206-8 ChipFET™
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