भाग संख्या :
IPD50N06S4L12ATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
भाग स्थिति :
Discontinued at Digi-Key
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
50A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
12 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 20µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
40nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2890pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
50W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO252-3-11
प्याकेज / केस :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63