Diodes Incorporated - DMN2025UFDF-7

KEY Part #: K6404802

DMN2025UFDF-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [708602पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05220

भाग संख्या:
DMN2025UFDF-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2025UFDF-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMN2025UFDF-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 6.5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 12.3nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 486pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 700mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : U-DFN2020-6
प्याकेज / केस : 6-UDFN Exposed Pad

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