[8527पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- IRF6668TR1PBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRF6668TR1PBF electronic components. IRF6668TR1PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6668TR1PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF6668TR1PBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRF6668TR1PBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
55A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
15 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.9V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1320pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
DIRECTFET™ MZ
प्याकेज / केस :
DirectFET™ Isometric MZ
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