Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J511NU,LF

KEY Part #: K6417367

SSM6J511NU,LF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [691214पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05916
  • 3,000 pcs$0.05886

भाग संख्या:
SSM6J511NU,LF
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J511NU,LF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM6J511NU,LF
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
श्रृंखला : U-MOSVII
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 14A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : -
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 9.1 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 47nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : -
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 3350pF @ 6V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-UDFNB (2x2)
प्याकेज / केस : 6-WDFN Exposed Pad

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