भाग संख्या :
IPP80P04P4L06AKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET P-CH TO220-3
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
80A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.2V @ 150µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
104nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
6580pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
88W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220-3-1