SQJB70EP-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [225129पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.16429
- 3,000 pcs$0.14383
- भाग संख्या:
- SQJB70EP-T1_GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJB70EP-T1_GE3 electronic components. SQJB70EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJB70EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJB70EP-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SQJB70EP-T1_GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
11.3A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
95 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
7nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
220pF @ 25V
पावर - अधिकतम :
27W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8 Dual
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