ON Semiconductor - FDMS3572

KEY Part #: K6418068

FDMS3572 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [81155पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.48421
  • 3,000 pcs$0.48180

भाग संख्या:
FDMS3572
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3572 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : FDMS3572
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
श्रृंखला : UltraFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8.8A (Ta), 22A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 16.5 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2490pF @ 40V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.5W (Ta), 78W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-MLP (5x6), Power56
प्याकेज / केस : 8-PowerWDFN

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