भाग संख्या :
TK14A65W,S5X
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
13.7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 690µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
35nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1300pF @ 300V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
40W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220SIS
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack