Nexperia USA Inc. - PMV55ENEAR

KEY Part #: K6421486

PMV55ENEAR मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [624683पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.05921
  • 3,000 pcs$0.05850

भाग संख्या:
PMV55ENEAR
निर्माता:
Nexperia USA Inc.
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 60V TO-236AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMV55ENEAR उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : PMV55ENEAR
निर्माता : Nexperia USA Inc.
वर्णन : MOSFET N-CH 60V TO-236AB
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.1A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.7V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 646pF @ 30V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 478mW (Ta), 8.36W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-236AB
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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