Vishay Siliconix - SI4670DY-T1-E3

KEY Part #: K6522422

SI4670DY-T1-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [167720पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.22053
  • 2,500 pcs$0.20708

भाग संख्या:
SI4670DY-T1-E3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Vishay Siliconix SI4670DY-T1-E3 electronic components. SI4670DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4670DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4670DY-T1-E3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI4670DY-T1-E3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 18nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 680pF @ 13V
पावर - अधिकतम : 2.8W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-SO

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