ZXMC4559DN8TA मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [116682पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.40443
- 500 pcs$0.40242
- भाग संख्या:
- ZXMC4559DN8TA
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA electronic components. ZXMC4559DN8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMC4559DN8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMC4559DN8TA उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
ZXMC4559DN8TA
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N and P-Channel
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.6A, 2.6A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
55 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
20.4nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1063pF @ 30V
पावर - अधिकतम :
1.25W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOP
ताजा समाचारहरू
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तातो पार्ट्स
- SI1539DDL-T1-GE3
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- APTC90AM602G
- AUIRF7309Q
- IRFHM792TR2PBF
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- SP8K3FU6TB
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