SISS26DN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [117334पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.31523
- भाग संख्या:
- SISS26DN-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SISS26DN-T1-GE3 electronic components. SISS26DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS26DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISS26DN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SISS26DN-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
श्रृंखला :
TrenchFET® Gen IV
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
60A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.6V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1710pF @ 30V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
57W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
प्याकेज / केस :
PowerPAK® 1212-8S
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