भाग संख्या :
BSP316PE6327
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
680mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.8 Ohm @ 680mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 170µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
6.4nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
146pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.8W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-SOT223-4
प्याकेज / केस :
TO-261-4, TO-261AA