IXYS - IXTK200N10P

KEY Part #: K6395500

IXTK200N10P मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [9347पीसी स्टक]

  • 1 pcs$4.87389
  • 25 pcs$4.84964

भाग संख्या:
IXTK200N10P
निर्माता:
IXYS
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK200N10P उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IXTK200N10P
निर्माता : IXYS
वर्णन : MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
श्रृंखला : PolarHT™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 200A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 5V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 7600pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 800W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-264 (IXTK)
प्याकेज / केस : TO-264-3, TO-264AA

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