वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
200A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 500µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
240nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
7600pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
800W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-264 (IXTK)
प्याकेज / केस :
TO-264-3, TO-264AA