Infineon Technologies - IPAN80R360P7XKSA1

KEY Part #: K6395266

IPAN80R360P7XKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [32358पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.27362
  • 500 pcs$0.73410

भाग संख्या:
IPAN80R360P7XKSA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू and डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPAN80R360P7XKSA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPAN80R360P7XKSA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220
श्रृंखला : CoolMOS™ P7
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 13A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 360 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 280µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 930pF @ 500V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 30W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PG-TO220 Full Pack
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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