Vishay Siliconix - SUP85N15-21-E3

KEY Part #: K6400593

SUP85N15-21-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [15255पीसी स्टक]

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  • 1,000 pcs$1.17819

भाग संख्या:
SUP85N15-21-E3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SUP85N15-21-E3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SUP85N15-21-E3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 150V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 85A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 21 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 4750pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.4W (Ta), 300W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
प्याकेज / केस : TO-220-3

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