Texas Instruments - CSD17313Q2Q1T

KEY Part #: K6416443

CSD17313Q2Q1T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [384544पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.09619
  • 1,750 pcs$0.08638

भाग संख्या:
CSD17313Q2Q1T
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17313Q2Q1T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD17313Q2Q1T
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Not For New Designs
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 5A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 3V, 8V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 2.7nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : +10V, -8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 340pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.4W (Ta), 17W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-WSON (2x2)
प्याकेज / केस : 6-WDFN Exposed Pad

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