निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
1.7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
150 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
700mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
2.93nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
258pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
625mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-23-3
प्याकेज / केस :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3