SI5935CDC-T1-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [431769पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.08567
- 3,000 pcs$0.08092
- भाग संख्या:
- SI5935CDC-T1-E3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5935CDC-T1-E3 electronic components. SI5935CDC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5935CDC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5935CDC-T1-E3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SI5935CDC-T1-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 P-Channel (Dual)
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
100 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
11nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
455pF @ 10V
पावर - अधिकतम :
3.1W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SMD, Flat Lead
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
1206-8 ChipFET™
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