Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3J-E3/57T

KEY Part #: K6452605

RS3J-E3/57T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [265052पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.13955
  • 850 pcs$0.13265
  • 1,700 pcs$0.10251
  • 2,550 pcs$0.09346
  • 5,950 pcs$0.08743
  • 21,250 pcs$0.08140

भाग संख्या:
RS3J-E3/57T
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB. Rectifiers 3.0 Amp 600V 250ns
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3J-E3/57T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : RS3J-E3/57T
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 3A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.3V @ 2.5A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 250ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 34pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AB, SMC
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AB (SMC)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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