DMN6022SSD-13 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [277874पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.13311
- 2,500 pcs$0.11828
- भाग संख्या:
- DMN6022SSD-13
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and डायोडहरू - जेनर - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN6022SSD-13 electronic components. DMN6022SSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6022SSD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN6022SSD-13 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMN6022SSD-13
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET BVDSS 41V 60V SO-8
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6A (Ta), 14A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
29 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
32nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2110pF @ 30V
पावर - अधिकतम :
1.2W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
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तातो पार्ट्स
- AO6604L_001
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- VMM1000-01P
- ZXMN6A09DN8TC
- FDS6892AZ
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- TPC8208(TE12L,Q)
- PMDPB65UP,115
- SP8M10TB
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