भाग संख्या :
IPL65R1K0C6SATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 8TSON
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
4.2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 150µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
15nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
328pF @ 100V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
34.7W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
Thin-PAK (5x6)
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN