Texas Instruments - CSD19502Q5B

KEY Part #: K6396551

CSD19502Q5B मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [85313पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.47120
  • 2,500 pcs$0.46886

भाग संख्या:
CSD19502Q5B
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 80V 100A 8SON.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19502Q5B उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD19502Q5B
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET N-CH 80V 100A 8SON
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 100A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4.1 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 4870pF @ 40V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.1W (Ta), 195W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-VSON-CLIP (5x6)
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN

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