SIHP18N50C-E3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [29783पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.38380
- 10 pcs$1.24894
- 100 pcs$0.95201
- 500 pcs$0.74046
- 1,000 pcs$0.61352
- भाग संख्या:
- SIHP18N50C-E3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 500V 18A TO220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHP18N50C-E3 electronic components. SIHP18N50C-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP18N50C-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHP18N50C-E3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIHP18N50C-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
18A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
270 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
76nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2942pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
223W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- SIHP7N60E-E3
- SIR640ADP-T1-GE3
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- RSD050N10TL
- SI1078X-T1-GE3
- SSM3J325F,LF