भाग संख्या :
SSM6L39TU,LF
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
FET प्रकार :
N and P-Channel
FET फिचर :
Logic Level Gate, 1.8V Drive
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
800mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
143 mOhm @ 600MA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
268pF @ 10V
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
6-SMD, Flat Leads
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
UF6