Infineon Technologies - IPA80R650CEXKSA2

KEY Part #: K6399987

IPA80R650CEXKSA2 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [42509पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.84456
  • 10 pcs$0.76094
  • 100 pcs$0.61155
  • 500 pcs$0.47566
  • 1,000 pcs$0.39412

भाग संख्या:
IPA80R650CEXKSA2
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 800V TO-220-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - जेनर - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in Infineon Technologies IPA80R650CEXKSA2 electronic components. IPA80R650CEXKSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPA80R650CEXKSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA80R650CEXKSA2 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPA80R650CEXKSA2
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 800V TO-220-3
श्रृंखला : CoolMOS™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 800V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.9V @ 470µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1100pF @ 100V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 33W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220-3F
प्याकेज / केस : TO-220-3 Full Pack

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