Diodes Incorporated - DMG6602SVTX-7

KEY Part #: K6522300

DMG6602SVTX-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [773543पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04782

भाग संख्या:
DMG6602SVTX-7
निर्माता:
Diodes Incorporated
विस्तृत विवरण:
MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG6602SVTX-7 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : DMG6602SVTX-7
निर्माता : Diodes Incorporated
वर्णन : MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N and P-Channel Complementary
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 60 mOhm @ 3.1A, 10V, 95 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 840mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TSOT-26

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