IPL65R660E6AUMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2912पीसी स्टक]
- 3,000 pcs$0.29583
- भाग संख्या:
- IPL65R660E6AUMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 4VSON.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPL65R660E6AUMA1 electronic components. IPL65R660E6AUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL65R660E6AUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPL65R660E6AUMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPL65R660E6AUMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 4VSON
श्रृंखला :
CoolMOS™ E6
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 200µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
440pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
63W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
Thin-Pak (8x8)
प्याकेज / केस :
4-PowerTSFN
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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