AS4PJ-M3/86A मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [317666पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.12287
- 1,500 pcs$0.12226
- 3,000 pcs$0.11080
- 7,500 pcs$0.10315
- 10,500 pcs$0.10188
- भाग संख्या:
- AS4PJ-M3/86A
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A 600V
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division AS4PJ-M3/86A electronic components. AS4PJ-M3/86A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4PJ-M3/86A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AS4PJ-M3/86A उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
AS4PJ-M3/86A
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE AVALANCHE 600V 2.4A TO277A
श्रृंखला :
eSMP®
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Avalanche
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
2.4A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
962mV @ 2A
गति :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
1.8µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
TO-277, 3-PowerDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-277A (SMPC)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-55°C ~ 175°C
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
-
BAS20-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD6050
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 70V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
-
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
CDBFN160-HF
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY 1A 60V
-
तातो पार्ट्स
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF