निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
900V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
10A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.3 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
-
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
75nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1500pF @ 30V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.5W (Ta), 190W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-3PB
प्याकेज / केस :
TO-3P-3, SC-65-3