DMN67D8LDW-13 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1325416पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.02791
- 10,000 pcs$0.02506
- भाग संख्या:
- DMN67D8LDW-13
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - TRIACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN67D8LDW-13 electronic components. DMN67D8LDW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN67D8LDW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN67D8LDW-13 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMN67D8LDW-13
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
230mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
0.82nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
22pF @ 25V
पावर - अधिकतम :
320mW
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-363
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