STMicroelectronics - SCT20N120

KEY Part #: K6407946

SCT20N120 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [5944पीसी स्टक]

  • 1 pcs$6.40337
  • 10 pcs$5.88511
  • 100 pcs$4.97021

भाग संख्या:
SCT20N120
निर्माता:
STMicroelectronics
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in STMicroelectronics SCT20N120 electronic components. SCT20N120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT20N120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SCT20N120 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SCT20N120
निर्माता : STMicroelectronics
वर्णन : MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 1200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 20A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 20V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 45nC @ 20V
Vgs (अधिकतम) : +25V, -10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 650pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 175W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 200°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : HiP247™
प्याकेज / केस : TO-247-3

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